隨著世界的多元化發展，我們的生活在不斷變化，包括我們接觸到的各種電子產品。
然后，您一定不知道這些產品的某些組件，例如氮化鎵場效應晶體管。
Nexperia是半導體基本組件生產領域的大容量生產專家，該公司宣布推出使用新一代H2技術的一系列新型高壓氮化鎵場效應晶體管。
新設備包括兩個封裝，TO-247和Nexperia的專有CCPAK。
兩者均具有更好的開關和傳導性能，并具有更好的穩定性。
由于級聯結構和優化的器件相關參數，Nexperia的GaN FET不需要復雜的驅動和控制，并且大大簡化了應用設計；使用標準的硅MOSFET驅動器也可以輕松驅動它們。
氮化鎵是最新一代的半導體材料，具有很大的開發和應用潛力。
氮化鎵的尺寸是硅禁帶寬度的3倍，擊穿電場強度高10倍，飽和電子遷移速度高3倍，導熱率高2倍。
這些性能改進帶來的一些優勢是，氮化鎵比硅更適合于高功率和高頻功率器件，而體積更小且功率密度更大。
新的GaN技術使用穿過外延層的通孔來減少缺陷，并且芯片尺寸可以減少約24％。
采用TO-247封裝的新器件的導通電阻RDS（on）降至僅41mΩ（最大值，在25°C下典型值為35mΩ），同時具有高柵極閾值電壓和低反向傳導電壓。
采用CCPAK封裝的新器件將導通電阻值進一步降低至39mΩ（最大值，在25°C下典型值為33mΩ）。
兩種封裝中的新器件均符合AEC-Q101標準，可以滿足汽車應用的要求。
一個更直觀的例子是，如果所有電器都用氮化鎵代替，則總功耗將降低20％。
Nexperia GaN戰略營銷總監Dilder Chowdhury表示：“客戶需要具有30-40mΩ導通電阻RDS（on）的新型650V器件，以實現具有成本效益的大功率轉換。
相關應用包括電動汽車的車載充電器，高壓DC-DC轉換器和發動機牽引逆變器；以及機架式電信設備，5G設備和數據中心相關設備等1.5?5kW鈦金級工業電源。
Nexperia繼續投資開發氮化鎵，并使用新技術擴展產品組合。
首先，向電源模塊制造商提供傳統的TO-247封裝設備和裸芯片，然后提供我們的高性能CCPAK SMD封裝設備。
“但是氮化鎵不同于硅等。
自然界中不存在的上一代半導體材料只能人工合成，因此研發和商業成本較高。
五厘米大小的GaN片的售價超過20,000元。
Nexperia的CCPAK芯片封裝使用創新的銅夾封裝技術來替換內部封裝引線。
這樣可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高可靠性。
CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱的兩種配置，使其更具通用性，并有助于進一步改善散熱。
在研究和設計過程中，必須存在此類問題，這要求我們的科研工作者不斷總結設計過程中的經驗，以促進產品的不斷創新。