由于從平面晶體管向FinFET的過渡，過去10年中芯片性能的改善是微不足道的。
然而，隨著制程技術繼續接近物理極限，芯片行業早已停止談論摩爾定律。
盡管業界對3nm及更高工藝中的環繞柵晶體管（GAAFET）的應用前景非常樂觀，但這種轉換的成本必定很高。
國外媒體指出，盡管當前主要的芯片代工廠已經在7nm或5nm工藝節點上提供了相當大的生產能力，但包括臺積電和GlobalFoundries在內的許多公司仍在努力工作。
征服基于下一代環繞柵晶體管（GAA）技術的3nm和2nm工藝節點。
據報道，GAA-FET的優勢在于更好的可擴展性，更快的切換時間，更好的驅動電流和更低的泄漏。
但是對于制造商而言，FinFET仍然是最有前途的選擇技術。
例如，在去年的一次研討會上，臺積電聲稱其N3技術可以將性能提高50％，同時將功耗降低30％，其密度是N5工藝的1.7倍。
較早的消息稱，該公司計劃在2024年之前為2nm工藝的大規模生產做準備。
然而，憑借經過充分測試和更可預測的工藝節點，臺積電也有足夠的時間來測試GAA-FET在2nm節點下的應用前景。
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同時，半導體工程公司表示，三星和英特爾也在努力實現從3nm到2nm工藝節點的過渡，三星有望在2022年底之前完成它。
TechSpot指出，GAA有很多類型-場效應管。
目前已知三星將使??用基于納米芯片的多橋溝道場效應晶體管（簡稱MBC-FET）。
MBC-FET可被視為FinFET的側翻轉，其特征在于將柵電極包括在襯底上生長的納米硅晶片中，并且英特爾還公開了將采用基于“納米管”的類似方案。
（nanoribbons）在2025年。
當然，在接替鮑勃·斯旺（BobSwan）的新任首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的領導下，英特爾或許能夠加速向新工藝的過渡。
最后，在允許FinFET和GAA-FET并駕齊驅的同時，芯片制造商還可以使用鍺（Ge），銻化鎵（GaSb），砷化銦（AsIn）和其他具有高遷移率特性的半導體材料。
發送“摩爾定律”；最后一程。
負責編輯AJX