相信每個人都應(yīng)該熟悉功率調(diào)制比理論！多雷達系統(tǒng)要求低相位噪聲以最大程度地減少混亂。
高性能雷達需要特別注意相位噪聲，這導(dǎo)致投入大量設(shè)計資源來降低頻率合成器的相位噪聲和表征頻率合成器組件的相位噪聲。
眾所周知，為了實現(xiàn)低相位噪聲性能，尤其是超低相位噪聲性能，必須使用低噪聲電源來實現(xiàn)最佳性能。
然而，文獻沒有指定如何通過系統(tǒng)的方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響。
本文旨在改變這種情況。
本文提出了功率調(diào)制比（PSMR）理論，以測量如何將功率缺陷調(diào)制到RF載波上。
電源噪聲對射頻放大器的相位噪聲的影響證實了這一理論。
測量結(jié)果表明，該貢獻可以被計算并且可以相當(dāng)準(zhǔn)確地預(yù)測。
基于此結(jié)果，本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)方法。
簡介和定義功率調(diào)制比與眾所周知的電源抑制比（PSRR）相似，但有一個關(guān)鍵的區(qū)別。
PSRR是電源缺陷直接耦合到設(shè)備輸出的程度的度量。
PSMR測量功率缺陷（紋波和噪聲）如何調(diào)制到RF載波上。
以下“原理”包括：本節(jié)介紹了將PSMR與電源缺陷相關(guān)聯(lián)的傳遞函數(shù)H（s），以定量地說明如何將電源缺陷調(diào)制到載波上。
H（s）具有兩個分量，即幅度和相位，它們可以隨頻率和設(shè)備工作條件而變化。
盡管變量很多，但一旦確定了特性，就可以根據(jù)電源數(shù)據(jù)手冊中的紋波和噪聲規(guī)范，使用電源調(diào)制比來準(zhǔn)確預(yù)測電源的相位噪聲和雜散貢獻。
該原理考慮了RF設(shè)備中使用的DC電源上的紋波。
電源紋波由正弦波信號模擬，其峰峰值電壓位于直流輸出的中心。
正弦波被調(diào)制到RF載波上，以等于正弦波頻率的頻率偏移生成寄生信號。
圖1.電源上的正弦紋波調(diào)制到RF載波以產(chǎn)生雜散信號。
雜散電平與正弦波的幅度和RF電路的靈敏度有關(guān)。
雜散信號可以進一步分解為幅度調(diào)制分量和相位調(diào)制分量。
總雜散功率電平等于幅度調(diào)制（AM）分量的雜散功率加上相位調(diào)制（PM）分量的雜散功率。
對于此處的討論，H（s）是從電源缺陷到RF載波上干擾調(diào)制項的傳遞函數(shù)。
H（s）也有兩個分量，AM和PM。
H（s）的AM分量為Hm（s），H（s）的PM分量為H?（s）。
假設(shè)可以使用低電平調(diào)制來模擬電源對RF載波的影響，下面的公式使用H（s）進行實際的RF測量。
信號的幅度調(diào)制可以寫成幅度調(diào)制分量m（t）可以寫成，其中fm是調(diào)制頻率。
RF載波的AM調(diào)制級別可以直接與電源紋波相關(guān)。
關(guān)系如下：vrms是電源電壓值的交流分量的均方根。
公式3是關(guān)鍵公式。
它提供了一種機制，用于計算由電源紋波引起的RF載波的AM調(diào)制。
雜散電平可以通過幅度調(diào)制來計算。
同樣，可以記錄電源對相位調(diào)制的影響。
相位調(diào)制信號與相位調(diào)制項相同。
相位調(diào)制可以直接與電源相關(guān)。
關(guān)系如下：公式7提供了一種機制，用于計算由電源紋波引起的RF載波的PM調(diào)制。
由相位調(diào)制引起的雜散電平有助于可視化mrms和?rms的雜散影響。
圖2顯示了雜散電平與均方根值和均方根值之間的關(guān)系。
圖2.雜散電平與均方根值和均方根值之間的關(guān)系。
總結(jié)以上討論，電源上的紋波轉(zhuǎn)換為電源的交流項的均方根電壓以及電壓項的調(diào)制項mrms和?rms。
Hm（s）和H?（s）分別是從vrms到mrms和?rms的傳遞函數(shù)。
現(xiàn)在考慮相位噪聲。
正弦波被調(diào)制到載波t上