中國上海，2012年9月19日-LED領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree最近宣布推出其最新的低位錯（LBPD）100 mm 4H碳化硅外延晶片。
該低基極位錯材料的外延漂移層的總基極位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基極位錯容量小于0.1cm-2。
這種新型的低基位錯材料的推出進(jìn)一步反映了Cree對碳化硅材料技術(shù)的長期持續(xù)投資和創(chuàng)新。
Cree功率器件和射頻（RF）首席技術(shù)官John Palmour表示：“碳化硅雙極（Bipolar）器件的開發(fā)長期以來一直受基底平面錯位引起的正向電壓衰減的影響。
這種低基極位錯材料可用于高壓雙極型器件，例如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和關(guān)斷晶閘管（GTO），并提高這些器件的穩(wěn)定性。
這一最新成果有助于消除磁滯高功率器件商業(yè)化的障礙。
＆amp; rdquo;碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料，廣泛用于照明，功率設(shè)備和通信設(shè)備的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二極管（LED），功率轉(zhuǎn)換設(shè)備和用于無線通信的射頻功率晶體管。
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關(guān)于Cree（CREE）Cree成立于1987年，是美國的一家上市公司（1993年，納斯達(dá)克股票代碼：CREE），其產(chǎn)品用于全球LED外延，芯片，封裝，LED照明解決方案，化合物半導(dǎo)體材料，功率器件以及A-眾所周知的射頻制造商和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。
Cree的LED照明產(chǎn)品的優(yōu)勢體現(xiàn)在其獨(dú)特的材料技術(shù)和先進(jìn)的白光技術(shù)（就氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）而言）。
Cree LED產(chǎn)品擁有1,300多項美國專利，2,900多項國際專利，并擁有近390項中國專利（包括授權(quán)和正在申請的專利），一直處于世界領(lǐng)先水平。
Cree照明級大功率LED具有發(fā)光效率高，色點(diǎn)穩(wěn)定，壽命長的優(yōu)點(diǎn)。
Cree為客戶提供高質(zhì)量，高度可靠的發(fā)光器件產(chǎn)品，但也為客戶提供了一整套LED照明解決方案。
Cree碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管開關(guān)器件（MOSFETSwitch）具有導(dǎo)通電阻小，溫度系數(shù)穩(wěn)定，漏電流低，切換時間短以及Cree碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向的特性，如恢復(fù)電流使Cree的碳化硅功率器件特別適用于需要高頻，高效率，高功率密度和高可靠性的功率電子系統(tǒng)。